مقدمه
سمینار بررسي ساختارهاي SiGe ب روی عایق (SGOI) براي كاربرد در فن آوری CMOS :
در سال 1965 GARDON MOOR پيش بيني كرد تعداد ترانزيستورها در مدار مجتمع، هر 18 تا 24 ماه، دو برابرميشود اما، به واسطه تكنولو ژي قطعات پيشرفته اين قانون در سالهاي بعدي با چالشهاي زيادي روبرو شد.
مزاياي كوچك شدن ترانزيستورها عبارت است از : كاهش منبع تغذيه، افزايش سرعت و جريان
ترانزيستورها و نرخ بالاي جريان روشن به جريان خاموشي در ولتاژ منبع پايينتر.
با پيشرفت تكنولوژي به ناحيه ي زير ميكرون، حفظ بهبود عملكرد در هر توليدي، فقط ب ه وسيله انجام
مقياس، به مسئله ي مشكل و پيچيده اي تبديل شده است . مقياس كردن عمق و عرض نواحي سورس و درين ،
مقدار بار آزاد را كاهش مي دهد و منجر به افزايش غير قابل پذيرشي در مقاومت قطعه مي شود . اثرات طفيلي بسیاری از جمله کاهش سد پتانسیل درین و حامل های داغ که اثرات کانال های کوتاه خوانده می شوند.
