مقدمه
سمینار بررسی جریان نشتی درین القاء شده از گیت GIDL و کاهش نشت توان با کنترل GIDL در ترانزیستور MOSEET :
با پیشرفت سریع در فناوری ساخت افزاره های نیمه هادی چگالی تراشه ها و سرعت آنها افزایش یافته است . کنترل توان مصرفی در افزاره های قابل حمل مسئله ای اساسی است . توان مصرفی بالا طول عمر باتری موجود در این افزاره ها را کاهش می دهد . کاهش توان تلفاتی حتی برای افزاره های غیر قابل حمل نیز مهم می باشد. زیرا افزایش توان تلفاتی منجر به افزایش چگالی بسته بندی و هزینه های خنک سازی می شود.
