مقاله بررسي ساختارهاي SiGe ب روی عایق (SGOI) براي كاربرد در فن آوری CMOS
مقدمه سمینار بررسي ساختارهاي SiGe ب روی عایق (SGOI) براي كاربرد در فن آوری CMOS : در سال ۱۹۶۵ GARDON MOOR پيش بيني كرد تعداد ترانزيستورها در مدار مجتمع، هر ۱۸ تا ۲۴ ماه، دو برابرميشود اما، به [...]