مقاله بررسي ساختارهاي SiGe ب روی عایق (SGOI) براي كاربرد در فن آوری CMOS

<span>مقاله بررسي ساختارهاي SiGe ب روی عایق (SGOI) براي كاربرد در فن آوری CMOS</span>

دسته بندی: پروژه

قیمت: 5000 تومان

تعداد صفحات: 55

پسوند فایل: pdf

قابلیت ویرایش: ندارد

فرمت فایل: پی دی اف

تعداد نمایش: 289 نمایش

ارسال توسط:

تاریخ ارسال: 15 نوامبر 2018

به روز رسانی در: 17 اکتبر 2019

امتیاز: 0/5 - بدون رای

کد محصول: KFP-147195-D

خرید این محصول:

پس از پرداخت لینک دانلود برای شما نمایش داده می شود.

دریافت نسخه چاپی درب منزل
5000 تومان – خرید

مقدمه

سمینار بررسي ساختارهاي SiGe ب روی عایق (SGOI) براي كاربرد در فن آوری CMOS :

در سال ۱۹۶۵ GARDON MOOR پيش بيني كرد تعداد ترانزيستورها در مدار مجتمع، هر ۱۸ تا ۲۴ ماه، دو برابرميشود اما، به واسطه تكنولو ژي قطعات پيشرفته اين قانون در سالهاي بعدي با چالشهاي زيادي روبرو شد.

مزاياي كوچك شدن ترانزيستورها عبارت است از : كاهش منبع تغذيه، افزايش سرعت و جريان

ترانزيستورها و نرخ بالاي جريان روشن به جريان خاموشي در ولتاژ منبع پايينتر.

با پيشرفت تكنولوژي به ناحيه ي زير ميكرون، حفظ بهبود عملكرد در هر توليدي، فقط ب ه وسيله انجام

مقياس، به مسئله ي مشكل و پيچيده اي تبديل شده است . مقياس كردن عمق و عرض نواحي سورس و درين ،

مقدار بار آزاد را كاهش مي دهد و منجر به افزايش غير قابل پذيرشي در مقاومت قطعه مي شود . اثرات طفيلي بسیاری از جمله کاهش سد پتانسیل درین و حامل های داغ که اثرات کانال های کوتاه خوانده می شوند.

0/5 ( 0 نظر )

پاسخ دهید