بررسی جریان نشتی در ین القا شده از گیت(GIDL)و کاهش نشت توان با کنترل GIDLدر ترانزیستور MOSFET
چکیده در بسیاری از طرح ها با کار ابی بالای جدید اهمیت نشت توان مصرفی قابل مقایسه با سرعت کلید زنی است.گزارش شده است ۴۰درصد یا حتی بیشتر توان مصرفی کل ناشی از نشت ترانزیستورها می باش….